吴老师股票合作：存储器紧缺周期下，晶圆代工大厂态度背后的掘金逻辑

DRAM：消费电子复苏叠加汽车增量：PC 与智能手机出货量同比回暖带动基础 DRAM 需求增长 12%，而新能源汽车单车 DRAM 用量达传统燃油车的 5 倍。力积电新通霄 Fab 产能释放后，其 DRAM 代工业务营收占比从 15% 升至 27%，但全球成熟制程代工产能缺口仍达 15%。

台积电：高端产能优先，绑定核心客户：2025 年资本支出超 400 亿美元，其中 20% 专项用于 HBM 相关的先进制程与封装产能，亚利桑那 Fab1 将在 2025 年底新增 10 万片 / 月 4nm 产能，优先供应 SK 海力士的 HBM2E 代工订单。其财报显示，存储器代工业务毛利率达 68%，较逻辑芯片高 12 个百分点，成为第二增长曲线。

三星：收缩通用产能，聚焦技术壁垒：2025 年资本支出同比缩减 15%，但龙仁园区 5 座逻辑 Fab 建设计划不变，重点推进 3nm GAA 工艺在 HBM 中的应用，目标 2026 年 HBM 代工市占率从当前的 25% 提升至 40%。同时暂停 28nm 成熟制程扩产，将资源向高毛利的存储器代工倾斜。

中芯国际：本土化替代加速，填补成熟缺口：2025 年资本支出达 70 亿美元，重点扩产 28nm 及以上成熟制程，其中存储器代工产能占比将从 18% 提升至 25%。通过向国内厂商交付 7/5nm 工艺规避美限制，其与长江存储的 234L NAND 代工合作已实现营收同比增长 220%。

联电与格芯：谨慎扩产，规避周期风险：联电将新加坡 Fab 量产时间推迟至 2026 年，2025 年资本支出压缩至 18 亿美元；格芯暂停与 ST 的合作项目，仅保留德累斯顿 Fab 的 28nm FDSOI 产能翻倍计划，对存储器代工采取 “按需接单” 策略。