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在全球半导体产业 “技术竞赛” 与 “供应链重构” 的双重浪潮中，一则重磅消息改写行业格局 —— 中国半导体设备成功挺进 1.4nm（英特尔 14A 制程）核心环节，盛美半导体的湿法刻蚀设备已进入英特尔晶圆厂调试阶段，打破了国际巨头在先进制程设备领域的垄断。这一突破不仅标志着中国半导体设备从 “成熟制程” 向 “先进制程” 的历史性跨越，更引发全球产业链的重新洗牌，为 A 股半导体板块带来结构性投资机遇。“吴老师讲股票” 结合半导体行业 15 年 + 分析经验与科技赛道投资实战心得，深度拆解中国设备突破的核心价值、全球产业变局逻辑，详解半导体设备产业链投资主线，同时介绍个性化投资咨询合作方式，助力投资者在硬核科技赛道中精准把握价值、规避风险。

英特尔计划 2027 年量产的 14A（1.4nm 级）制程，是全球半导体行业的顶尖工艺，搭载 High-NA EUV 光刻机与第二代 PowerVia 背面供电方案，目标超越台积电 2nm 制程的晶体管密度与能效比。而在这一尖端制程的核心环节，来自中国的盛美半导体（ACM Research）湿法刻蚀设备成功入选测试名单，正在英特尔俄勒冈州晶圆厂进行最终调试。

这一突破并非偶然：盛美设备凭借专利氮气（N₂）鼓泡技术，解决了 1.4nm 制程中高深宽比结构刻蚀的核心痛点 —— 传统工艺中化学液在纳米级结构内流动性差，易导致副产物沉积与刻蚀不均匀，而氮气鼓泡技术通过产生均匀微气泡，形成微流动带出副产物，同时防止结构坍塌，将刻蚀均匀性提升 50% 以上。目前，该设备已通过叠层氮化硅蚀刻、栅极线钨蚀刻等三道先进工艺验证，关键指标达到国际顶尖水平。

在此之前，全球半导体行业普遍认为中国半导体设备仅能满足 28nm 及以上成熟制程需求，先进制程设备完全被应用材料、东京电子等国际巨头垄断（湿法设备市场垄断率超 80%）。而盛美设备进入英特尔 1.4nm 制程测试，首次证明中国企业在细分领域已具备与国际巨头抗衡的技术实力，实现了从 “追随者” 到 “挑战者” 的角色转变。

更具示范意义的是，这一突破采用 “细分赛道换道超车” 模式 —— 避开竞争激烈的光刻机等领域，聚焦湿法刻蚀、电镀等细分市场，通过原理创新建立技术壁垒。这种差异化竞争策略，为中国半导体设备行业的突围提供了可复制的成功路径。